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V5+-Sr2+共掺杂对TiO2基压敏陶瓷性能的影响

陈俊宇 , 严继康 , 甘国友

复合材料学报 doi:10.13801/j.cnki.fhclxb.20170222.003

研究了V5+-Sr2+共掺杂对TiO2基压敏陶瓷电学性能的影响.采用固相烧结方法制备V5+-Sr2+共掺杂TiO2样品.利用XRD衍射仪检测物相和SEM测定显微结构.用压敏电阻直流参数仪测定V5+-Sr2+共掺杂TiO2样品在不同烧结温度和掺杂量下的电学性能.结果表明:掺杂0.35 mol%的V2O5,XRD衍射仪没有检测到第二相的产生.随着SrCO3掺杂量以及烧结温度的增加,样品压敏电压和非线性系数都有不同的变化趋势.当烧结温度为1 300℃、Sr2+掺杂量为0.5 mol%时,样品的各项电学性能最优:V5+-Sr2+共掺杂TiO2样品压敏电压达到16.3 V/mm,非线性系数α达到5.6.

关键词: TiO2 , 烧结条件 , 共掺杂 , 压敏电压 , 非线性系数

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